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宽禁带半导体零件(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP 等)之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于 2eV，这类材料主要包括 SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。
碳化硅 SiC、氮化镓 GaN、硅 Si 以及砷化镓 GaAs 的一些参数：
宽禁带半导体零件加工材料(第一代~第三代)的重要参数对比，SiC 和 GaN 的禁带宽度远大于 Si 和 GaAs，相应的本征载流子浓度小于 Si 和 GaAs，宽禁带半导体的最高工作温度要高于第一、第二代半导体材料。击穿场强和饱和热导率也远大于 Si 和 GaAs。
1. 第三代宽禁带半导体应用
在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他 4 个领域，每个领域产业成熟度各不相同。
2. 半导体照明
蓝光 LED 在用衬底材料来划分技术路线。GaN 基半导体，衬底材料的选择就只剩下蓝宝石((Al2O3)、SiC、Si、GaN 以及 AlN。后两者产业化为时尚远，我们讨论下前三者。总的来说，三种材料各有千秋。
蓝宝石应用最广，成本较低，不过导电性差、热导率低;单晶硅衬底尺寸最大、成本最低，但先天巨大的晶格失配与热失配;碳化硅性能优越，但衬底本身的制备技术拉后腿。
根据 IHS 最新研究情报显示，在 2015 年全球 96.3%的 LED 生产均采用蓝宝石衬底，预计到 2020 年该数据将会上升到 96.7%。2015 年主要得益于价格下跌，蓝宝石应用市场才得以提振。
3. 功率器件
许多公司开始研发 SiCMOSFET，包括科锐(Cree)旗下 Wolfspeed(被 Infineon 收购)、罗姆、意法半导体、三菱和通用电气。与此相反，进入 GaN 市场中的玩家较少，起步较晚。
SiC 功率半导体零件市场(包括二极管和晶体管)规模约为 2 亿美元，到明年，其市场规模预计将超过 5.5 亿美元，这期间的复合年均增长率预计将达 19%。毫无悬念，消耗大量二极管的功率因素校正(PFC)电源市场，仍将是 SiC 功率半导体最主要的应用。
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